창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD80R2K8CEATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80R2K8CE | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8옴 @ 1.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001130970 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD80R2K8CEATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD80R2K8, IPD80R2K8CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BC-23-33E-25.000000G | OSC XO 3.3V 25MHZ | SIT8008BC-23-33E-25.000000G.pdf | |
![]() | C3391-2.048 | 2.048MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 18mA Enable/Disable | C3391-2.048.pdf | |
![]() | CMF55432K00FKRE70 | RES 432K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55432K00FKRE70.pdf | |
![]() | J2203AD | J2203AD ORIGINAL SMD16 | J2203AD.pdf | |
![]() | HDG000 RECEIVER | HDG000 RECEIVER RCA SMD or Through Hole | HDG000 RECEIVER.pdf | |
![]() | HZ2C1 | HZ2C1 ST DO-35 | HZ2C1.pdf | |
![]() | BL-HY033H-TRB | BL-HY033H-TRB BRIGHT PB-FREE | BL-HY033H-TRB.pdf | |
![]() | HZU8.2B1TRF/0805-8.2V/8.2 | HZU8.2B1TRF/0805-8.2V/8.2 HITACHI SMD or Through Hole | HZU8.2B1TRF/0805-8.2V/8.2.pdf | |
![]() | T530C474M050AS | T530C474M050AS KEMET SMD | T530C474M050AS.pdf | |
![]() | 1576E | 1576E ORIGINAL QFN-24 | 1576E.pdf | |
![]() | NCP1596BMNTWG | NCP1596BMNTWG ON QFN6 | NCP1596BMNTWG.pdf |