창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD80R1K4CEBTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80R1K4CE | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Halogen Part Status Rev 5/Aug/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 2.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD80R1K4CEBTMA1TR SP001100604 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD80R1K4CEBTMA1 | |
관련 링크 | IPD80R1K4, IPD80R1K4CEBTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BFC238351622 | 6200pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC238351622.pdf | |
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![]() | CMF551M1000FHEK | RES 1.1M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M1000FHEK.pdf | |
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![]() | GF-7600-SE-N-B1 | GF-7600-SE-N-B1 NVIDIA BGA | GF-7600-SE-N-B1.pdf | |
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![]() | MRCS1045 | MRCS1045 ST TO-252 | MRCS1045.pdf | |
![]() | ND3260-GE-NEODIO | ND3260-GE-NEODIO ORIGINAL SMD or Through Hole | ND3260-GE-NEODIO.pdf | |
![]() | WD3-110S05 | WD3-110S05 SangMei SMD or Through Hole | WD3-110S05.pdf | |
![]() | VJ0SOD-523Y332KXBAC54 | VJ0SOD-523Y332KXBAC54 VISHAY SOD-523 | VJ0SOD-523Y332KXBAC54.pdf |