창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD80R1K4CEATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80R1K4CE | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 2.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001130972 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD80R1K4CEATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD80R1K4, IPD80R1K4CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D5R1CXPAC | 5.1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R1CXPAC.pdf | |
![]() | 4P073F35CST | 7.3728MHz ±30ppm 수정 시리즈 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P073F35CST.pdf | |
![]() | AC2512FK-0716KL | RES SMD 16K OHM 1% 1W 2512 | AC2512FK-0716KL.pdf | |
![]() | CA3140ERCA | CA3140ERCA HARRIS DIP-8 | CA3140ERCA.pdf | |
![]() | RB451F | RB451F ROHM SMD or Through Hole | RB451F .pdf | |
![]() | 82R1A-R22-A13L | 82R1A-R22-A13L bourns DIP | 82R1A-R22-A13L.pdf | |
![]() | 16.11188MHZ | 16.11188MHZ EPSON SMD or Through Hole | 16.11188MHZ.pdf | |
![]() | NC7SB3157L6X/BB | NC7SB3157L6X/BB FAIRCHILD QFN-463(Pb) | NC7SB3157L6X/BB.pdf | |
![]() | HA118827-F | HA118827-F RENESAS SMD or Through Hole | HA118827-F.pdf | |
![]() | VR0603BBA080 | VR0603BBA080 TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | VR0603BBA080.pdf | |
![]() | SN65LBC172 | SN65LBC172 TI SOP | SN65LBC172.pdf | |
![]() | 56303-T | 56303-T NEC CDIP28 | 56303-T.pdf |