창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD80N04S306ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD80N04S3-06 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 52µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD80N04S3-06 IPD80N04S3-06-ND IPD80N04S3-06TR IPD80N04S3-06TR-ND IPD80N04S306 SP000261220 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD80N04S306ATMA1 | |
관련 링크 | IPD80N04S3, IPD80N04S306ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMF5525K500BEBF70 | RES 25.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5525K500BEBF70.pdf | |
![]() | LPC3180-DEV-KIT | LPC3180-DEV-KIT FDI SMD or Through Hole | LPC3180-DEV-KIT.pdf | |
![]() | UPD809503W-S11 | UPD809503W-S11 Renesas SMD or Through Hole | UPD809503W-S11.pdf | |
![]() | XR2321CD | XR2321CD XR SOP | XR2321CD.pdf | |
![]() | TAG12F900D | TAG12F900D TAG SMD or Through Hole | TAG12F900D.pdf | |
![]() | AV9127-02CW | AV9127-02CW AVAFE SOP | AV9127-02CW.pdf | |
![]() | BC817-16W SOT323-6A PB-FREE | BC817-16W SOT323-6A PB-FREE PHILIPS SMD or Through Hole | BC817-16W SOT323-6A PB-FREE.pdf | |
![]() | SNJ54S85W | SNJ54S85W TI CFP | SNJ54S85W.pdf | |
![]() | 9MP041 | 9MP041 IDT SOP28 | 9MP041.pdf | |
![]() | 13N20 | 13N20 IR TO252 | 13N20.pdf | |
![]() | KM6164000BLTI-7L | KM6164000BLTI-7L SAMSUNG TSOP44 | KM6164000BLTI-7L.pdf |