창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD80N04S3-06 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD80N04S3-06 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 52µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPD80N04S3-06CT IPD80N04S3-06CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD80N04S3-06 | |
| 관련 링크 | IPD80N0, IPD80N04S3-06 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C0805F183K3RACTU | 0.018µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805F183K3RACTU.pdf | |
![]() | C1210C183JBRACTU | 0.018µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C183JBRACTU.pdf | |
![]() | RR1220Q-180-D | RES SMD 18 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220Q-180-D.pdf | |
![]() | UPD17244MC-103-5A4-E1 | UPD17244MC-103-5A4-E1 NEC SMD or Through Hole | UPD17244MC-103-5A4-E1.pdf | |
![]() | SX-3225 25M | SX-3225 25M TOYOMURA SMD or Through Hole | SX-3225 25M.pdf | |
![]() | SE5534FE/26-0783 | SE5534FE/26-0783 S DIP8 | SE5534FE/26-0783.pdf | |
![]() | HT62CT081ED70C | HT62CT081ED70C ORIGINAL DIP | HT62CT081ED70C.pdf | |
![]() | IS41LV85120A-60K | IS41LV85120A-60K MICRON QFP | IS41LV85120A-60K.pdf | |
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