창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD75N04S406ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD75N04S4-06 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 26µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 58W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD75N04S4-06 IPD75N04S4-06-ND SP000711472 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD75N04S406ATMA1 | |
관련 링크 | IPD75N04S4, IPD75N04S406ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | HKQ04020N5C-T | 0.5nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 80 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HKQ04020N5C-T.pdf | |
![]() | H8N80 | H8N80 N/A SMD or Through Hole | H8N80.pdf | |
![]() | XCV600BC560 | XCV600BC560 XILINX N A | XCV600BC560.pdf | |
![]() | LO3340-KP-24 | LO3340-KP-24 OSRAM ROHS | LO3340-KP-24.pdf | |
![]() | LMUN2234LT1G | LMUN2234LT1G LRC/ON SOT-23 | LMUN2234LT1G.pdf | |
![]() | ZB3CS-640-6W | ZB3CS-640-6W MINI SMD or Through Hole | ZB3CS-640-6W.pdf | |
![]() | MIC5157YN | MIC5157YN MICREL DIP | MIC5157YN.pdf | |
![]() | TLV5580 | TLV5580 TI SMD | TLV5580.pdf | |
![]() | 1623803-3 | 1623803-3 TYCO SMD or Through Hole | 1623803-3.pdf | |
![]() | AAFY+ | AAFY+ ORIGINAL QFN | AAFY+.pdf |