Infineon Technologies IPD70R2K0CEAUMA1

IPD70R2K0CEAUMA1
제조업체 부품 번호
IPD70R2K0CEAUMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH TO252-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPD70R2K0CEAUMA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 248.95720
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPD70R2K0CEAUMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD70R2K0CEAUMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD70R2K0CEAUMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPD70R2K0CEAUMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPD70R2K0CEAUMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPD70R2K0CEAUMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPD70R2K0CE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)700V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 70µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds163pF @ 100V
전력 - 최대42W
작동 온도-40°C ~ 150°C
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 2,500
다른 이름SP001466914
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPD70R2K0CEAUMA1
관련 링크IPD70R2K0, IPD70R2K0CEAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPD70R2K0CEAUMA1 의 관련 제품
40.61MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40633CSR.pdf
1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 51mA SIT9002AC-33N25DD.pdf
31R5 MCL QFN20 31R5.pdf
2SC3739-T1B/B12 NEC SOT-23 2SC3739-T1B/B12.pdf
FT245BV FTDI QFP FT245BV.pdf
PCA84C841P/076(CTV350S.V2.1) PHILIPS SMD or Through Hole PCA84C841P/076(CTV350S.V2.1).pdf
UV1316T/S I G H Q-3 D9 ORIGINAL SMD or Through Hole UV1316T/S I G H Q-3 D9.pdf
AIC810-26CUATR AIC SOT23-3 AIC810-26CUATR.pdf
WP06R24S12NC MPS SMD or Through Hole WP06R24S12NC.pdf
JM57AK NS SOP16 JM57AK.pdf
C627 CHIPNUTS TFBGA149 C627.pdf