창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD70R1K4CEAUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD70R1K4CE, IPS70R1K4CE | |
주요제품 | Infineon CoolMOS CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 700V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 130µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 53W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD70R1K4CEAUMA1-ND IPD70R1K4CEAUMA1TR SP001466962 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD70R1K4CEAUMA1 | |
관련 링크 | IPD70R1K4, IPD70R1K4CEAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C1210C102F1GACTU | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C102F1GACTU.pdf | ||
QS5W2TR | TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5 | QS5W2TR.pdf | ||
RMCF2512FT121R | RES SMD 121 OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT121R.pdf | ||
AC220D24DC-10W | AC220D24DC-10W HLDY SMD or Through Hole | AC220D24DC-10W.pdf | ||
SG305Y | SG305Y LINFINIT DIP8 | SG305Y.pdf | ||
C3352A | C3352A NEC SMD or Through Hole | C3352A.pdf | ||
SMAJ5.0/440A/CA | SMAJ5.0/440A/CA VISHA DIP SMD | SMAJ5.0/440A/CA.pdf | ||
1206HS-681EJTS | 1206HS-681EJTS DELTA 1206 | 1206HS-681EJTS.pdf | ||
TDA8562 | TDA8562 PHILIPS ZIP | TDA8562.pdf | ||
GN4L4K-T1-A/JM | GN4L4K-T1-A/JM NEC SOT-323 | GN4L4K-T1-A/JM.pdf | ||
SD233R36S50MC | SD233R36S50MC IR SMD or Through Hole | SD233R36S50MC.pdf | ||
R5F21102FPU0 | R5F21102FPU0 Renesas SMD or Through Hole | R5F21102FPU0.pdf |