창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD70N03S4L-04 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD70N03S4L-04 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 70A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 30µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 68W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD70N03S4L-04-ND IPD70N03S4L-04TR IPD70N03S4L04 IPD70N03S4L04ATMA1 SP000274986 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD70N03S4L-04 | |
관련 링크 | IPD70N03, IPD70N03S4L-04 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RC1218DK-073K9L | RES SMD 3.9K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-073K9L.pdf | ||
PHP00603E6121BST1 | RES SMD 6.12K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E6121BST1.pdf | ||
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PRN10016N27ROJ | PRN10016N27ROJ CMD SOP16 | PRN10016N27ROJ.pdf | ||
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S848 | S848 ORIGINAL SMD or Through Hole | S848.pdf | ||
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AP1329 | AP1329 ATC SSOP | AP1329.pdf |