창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R650CEAUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD65R650CE, IPA65R650CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 210µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001396908 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD65R650CEAUMA1 | |
관련 링크 | IPD65R650, IPD65R650CEAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CLV1A-FKB-CH1K1E1BB7D4C3 | Red, Green, Blue (RGB) 622nm Red, 530nm Green, 473nm Blue LED Indication - Discrete 2V Red, 3.2V Green, 3.2V Blue 4-LCC (J-Lead) | CLV1A-FKB-CH1K1E1BB7D4C3.pdf | |
![]() | CAT1232S | CAT1232S CATALYST SOP8 | CAT1232S.pdf | |
![]() | ALC02TBR39K | ALC02TBR39K ABCO AXIAL | ALC02TBR39K.pdf | |
![]() | QC2029-0002B | QC2029-0002B AMCC QFP | QC2029-0002B.pdf | |
![]() | MC9SC128MFAR2 | MC9SC128MFAR2 FREESCALE QFP48 | MC9SC128MFAR2.pdf | |
![]() | HMK212B7224MG | HMK212B7224MG TAIYO SMD | HMK212B7224MG.pdf | |
![]() | BH29NB1WHFV-TR | BH29NB1WHFV-TR NEC SOT23-6 | BH29NB1WHFV-TR.pdf | |
![]() | AIC-7221WAQXA524 | AIC-7221WAQXA524 ADAPREC BGA | AIC-7221WAQXA524.pdf | |
![]() | SNJ54ALS153J | SNJ54ALS153J TI DIP | SNJ54ALS153J.pdf | |
![]() | ONET8531TY | ONET8531TY TI SMD or Through Hole | ONET8531TY.pdf | |
![]() | OLPF/9.2X7.8X0.71 | OLPF/9.2X7.8X0.71 NDK SMD or Through Hole | OLPF/9.2X7.8X0.71.pdf | |
![]() | SMM02070C1300FBP00 | SMM02070C1300FBP00 VISHAY SMD or Through Hole | SMM02070C1300FBP00.pdf |