창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R650CEATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA65R650CE, IPD65R650CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 0.21mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001295798 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD65R650CEATMA1 | |
관련 링크 | IPD65R650, IPD65R650CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | NSD25 | FUSE CRTRDGE 25A 550VAC CYLINDR | NSD25.pdf | |
![]() | SIT8008BI-21-33E-48.000000D | OSC XO 3.3V 48MHZ OE | SIT8008BI-21-33E-48.000000D.pdf | |
![]() | RG3216N-8202-D-T5 | RES SMD 82K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-8202-D-T5.pdf | |
![]() | Y1121200R000T9R | RES SMD 200OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1121200R000T9R.pdf | |
![]() | CMF509K0900FKEB | RES 9.09K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF509K0900FKEB.pdf | |
![]() | 1359945FT | 1359945FT HAR Call | 1359945FT.pdf | |
![]() | MAX202IPW | MAX202IPW TI SSOP | MAX202IPW.pdf | |
![]() | M37201EFSP | M37201EFSP MITSUBIS DIP | M37201EFSP.pdf | |
![]() | CY7C264-50WMB | CY7C264-50WMB CY DIP | CY7C264-50WMB.pdf | |
![]() | ESRM350ETD470MH05G | ESRM350ETD470MH05G NIPPONCHEMI-COM DIP | ESRM350ETD470MH05G.pdf | |
![]() | SM5Z12A | SM5Z12A STMicroectronics SOD6 | SM5Z12A.pdf | |
![]() | HGTS17N60A4DS.G7N60A4D | HGTS17N60A4DS.G7N60A4D FSC TO-3P | HGTS17N60A4DS.G7N60A4D.pdf |