창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R380E6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R380E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ E6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 3.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 320µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117736 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD65R380E6ATMA1 | |
관련 링크 | IPD65R380, IPD65R380E6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | CMF55205K00FHBF | RES 205K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55205K00FHBF.pdf | |
![]() | 1605540000 | 1605540000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1605540000.pdf | |
![]() | KB2500SGD | KB2500SGD ORIGINAL DIP4 | KB2500SGD.pdf | |
![]() | SI1903DL TEL:82766440 | SI1903DL TEL:82766440 Siliconix SMD or Through Hole | SI1903DL TEL:82766440.pdf | |
![]() | DTS62R | DTS62R ORIGINAL SMD or Through Hole | DTS62R.pdf | |
![]() | SF1258100ML | SF1258100ML ABC SMD or Through Hole | SF1258100ML.pdf | |
![]() | AD481M3222VTG-7TSOP86 | AD481M3222VTG-7TSOP86 ORIGINAL SMD or Through Hole | AD481M3222VTG-7TSOP86.pdf | |
![]() | LPY5150ALTR | LPY5150ALTR ORIGINAL SMD or Through Hole | LPY5150ALTR.pdf |