창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD60R650CEBTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD60R650CE, IPA60R650CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001369530 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD60R650CEBTMA1 | |
관련 링크 | IPD60R650, IPD60R650CEBTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TB-25.000MCE-T | 25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TB-25.000MCE-T.pdf | |
![]() | AOTF5N50 | MOSFET N-CH 500V 5A TO220F | AOTF5N50.pdf | |
![]() | MP4-1Q-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1Q-00.pdf | |
![]() | 54AC14DMAB | 54AC14DMAB NS SMD or Through Hole | 54AC14DMAB.pdf | |
![]() | DM54LS3670J/883B | DM54LS3670J/883B NS DIP | DM54LS3670J/883B.pdf | |
![]() | 72V263L15PF | 72V263L15PF IDT SMD or Through Hole | 72V263L15PF.pdf | |
![]() | 75P42100S100RXI | 75P42100S100RXI IDT SMD or Through Hole | 75P42100S100RXI.pdf | |
![]() | 9521096 | 9521096 MOLEX SMD or Through Hole | 9521096.pdf | |
![]() | SL1016T-8R2K-N | SL1016T-8R2K-N CHILISIN DIP | SL1016T-8R2K-N.pdf | |
![]() | B81130-C1224-K25 | B81130-C1224-K25 EPCOS DIP | B81130-C1224-K25.pdf | |
![]() | MC3320VDR2G | MC3320VDR2G ON SMD or Through Hole | MC3320VDR2G.pdf | |
![]() | 210sq255l6617 | 210sq255l6617 loranger SMD or Through Hole | 210sq255l6617.pdf |