창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD60R385CPATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD60R385CP | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CP | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 385m옴 @ 5.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 340µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD60R385CPATMA1TR SP000680638 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD60R385CPATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD60R385, IPD60R385CPATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ADJ45012 | ADJ(DJ) RELAY (FLUX, 1A1B, SINGL | ADJ45012.pdf | |
![]() | RG2012V-271-W-T1 | RES SMD 270 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-271-W-T1.pdf | |
![]() | 2D18-330 | 2D18-330 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2D18-330.pdf | |
![]() | K4M561633G-BN750JR | K4M561633G-BN750JR SAM BGA | K4M561633G-BN750JR.pdf | |
![]() | CD40106BPWR | CD40106BPWR TI TSSOP14 | CD40106BPWR.pdf | |
![]() | SN16848AN | SN16848AN TI DIP16 | SN16848AN.pdf | |
![]() | MB651317 | MB651317 FUJ PGA | MB651317.pdf | |
![]() | 591RRLF | 591RRLF ST TSOP-8P | 591RRLF.pdf | |
![]() | XC2VP30-7FF676I | XC2VP30-7FF676I XILINX BGA676 | XC2VP30-7FF676I.pdf | |
![]() | 292CNS-T1049Z | 292CNS-T1049Z TOKO SMD or Through Hole | 292CNS-T1049Z.pdf | |
![]() | 3R090TB-8 | 3R090TB-8 ORIGINAL DIP | 3R090TB-8.pdf | |
![]() | FDZ2552P-NL | FDZ2552P-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDZ2552P-NL.pdf |