Infineon Technologies IPD60R180C7ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD60R180C7ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH TO252-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPD60R180C7ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,772.23480
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPD60R180C7ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD60R180C7ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD60R180C7ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPD60R180C7ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD60R180C7ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD60R180C7ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD60R180C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 5.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 260µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1080pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001277630 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD60R180C7ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD60R180, IPD60R180C7ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPD60R180C7ATMA1 의 관련 제품
.jpg) | EMK105BJ224MV-F | 0.22µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | EMK105BJ224MV-F.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C101F1GACTU | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C101F1GACTU.pdf | |
 | ECQ-V1H123JLW | 0.012µF Film Capacitor 50V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.126" W (7.30mm x 3.20mm) | ECQ-V1H123JLW.pdf | |
 | P4SMA51CA-E3/61 | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMA | P4SMA51CA-E3/61.pdf | |
 | ECS-3951M-320-BN-TR | 32MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 20mA Enable/Disable | ECS-3951M-320-BN-TR.pdf | |
| RPCF-12V | RPCF-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | RPCF-12V.pdf | |
| SN75C3222EDBR * | SN75C3222EDBR * TIS Call | SN75C3222EDBR *.pdf | |
| GA180 | GA180 ORIGINAL DIP-28 | GA180.pdf | |
| MB91919-813 | MB91919-813 FUJITSU SMD or Through Hole | MB91919-813.pdf | |
| ZMM15MISM1 | ZMM15MISM1 dio SMD or Through Hole | ZMM15MISM1.pdf | |
| EW5888S | EW5888S ROHM SOP | EW5888S.pdf |