창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD5N25S3430ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD5N25S3-430 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 13µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 422pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 41W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000876584 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD5N25S3430ATMA1 | |
관련 링크 | IPD5N25S34, IPD5N25S3430ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
55030R2IB5.5 | FUSE CARTRIDGE 550A 5.5KVAC CYL | 55030R2IB5.5.pdf | ||
LT3680HMSE | LT3680HMSE LT MSOP10 | LT3680HMSE.pdf | ||
A70P600-4TI | A70P600-4TI ORIGINAL MODULE | A70P600-4TI.pdf | ||
SSC1333GSA-3V3 | SSC1333GSA-3V3 SSC SOT23-5L | SSC1333GSA-3V3.pdf | ||
IFC0805ER18NJ | IFC0805ER18NJ VISHAY SMD or Through Hole | IFC0805ER18NJ.pdf | ||
PR12415 | PR12415 QFN SMD or Through Hole | PR12415.pdf | ||
BF506T | BF506T ORIGINAL SMD or Through Hole | BF506T.pdf | ||
LM2727MTC NOPB | LM2727MTC NOPB NS SMD or Through Hole | LM2727MTC NOPB.pdf | ||
G5LE-1-VD DC12V | G5LE-1-VD DC12V OMRON RELAY | G5LE-1-VD DC12V.pdf | ||
EFD2012T-670S | EFD2012T-670S ORIGINAL SMD or Through Hole | EFD2012T-670S.pdf | ||
TB6591FLGTR | TB6591FLGTR TOS SMD or Through Hole | TB6591FLGTR.pdf | ||
RY610-012 | RY610-012 TYCO SMD or Through Hole | RY610-012.pdf |