창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD5N03LAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPDH,IPSH5N03LA G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2653pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD5N03LAGINTR IPDH5N03LAG IPDH5N03LAGINTR IPDH5N03LAGINTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD5N03LAG | |
| 관련 링크 | IPD5N0, IPD5N03LAG 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 600F8R2BT250XT | 8.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 600F8R2BT250XT.pdf | |
![]() | PWR263S-35-1303J | RES SMD 130K OHM 5% 35W D2PAK | PWR263S-35-1303J.pdf | |
![]() | AP4511GD | AP4511GD APEC SMD or Through Hole | AP4511GD.pdf | |
![]() | DRK-12D05 | DRK-12D05 DEXU SMD | DRK-12D05.pdf | |
![]() | HUF76013 | HUF76013 FAI TO252 | HUF76013.pdf | |
![]() | FST162861 | FST162861 FAIRCHIL TSSOP | FST162861.pdf | |
![]() | HM6117LP-4 | HM6117LP-4 HITACHI DIP32 | HM6117LP-4.pdf | |
![]() | M55342M02R6K80RJAN | M55342M02R6K80RJAN SA SMD or Through Hole | M55342M02R6K80RJAN.pdf | |
![]() | 8550-4500PL | 8550-4500PL ORIGINAL SMD or Through Hole | 8550-4500PL.pdf | |
![]() | CS3870AP | CS3870AP CS DIP18 | CS3870AP.pdf | |
![]() | MDP16-03-823G | MDP16-03-823G MDP SMD or Through Hole | MDP16-03-823G.pdf | |
![]() | YM64A00 | YM64A00 YM DIP | YM64A00.pdf |