창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD530N15N3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx530N15N3G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 53m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 887pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 68W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD530N15N3GATMA1TR SP001127830 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD530N15N3GATMA1 | |
관련 링크 | IPD530N15N, IPD530N15N3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CKRB6030P | SOLID STATE RELAY | CKRB6030P.pdf | |
![]() | MRS25000C4303FRP00 | RES 430K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C4303FRP00.pdf | |
![]() | 91J1K5 | RES 1.5K OHM 1.5W 5% AXIAL | 91J1K5.pdf | |
![]() | T1218N20TOF | T1218N20TOF EUPEC module | T1218N20TOF.pdf | |
![]() | S6015PHC-3 | S6015PHC-3 STRETCH BGA | S6015PHC-3.pdf | |
![]() | EKMH3B1LGB681MA80M | EKMH3B1LGB681MA80M NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMH3B1LGB681MA80M.pdf | |
![]() | PM5347-R | PM5347-R ORIGINAL SMD or Through Hole | PM5347-R.pdf | |
![]() | EGHA250EC5471MJ20S | EGHA250EC5471MJ20S Chemi-con NA | EGHA250EC5471MJ20S.pdf | |
![]() | ERJ1TYJ1R3U | ERJ1TYJ1R3U PAN SMD or Through Hole | ERJ1TYJ1R3U.pdf | |
![]() | VC0558-LF | VC0558-LF VIMICRO BGA | VC0558-LF.pdf | |
![]() | D01-04 | D01-04 FM SIP7 | D01-04.pdf | |
![]() | TSW-115-07-L-D | TSW-115-07-L-D Samtec SMD or Through Hole | TSW-115-07-L-D.pdf |