창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50R650CEATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD50R650CE | |
PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 1.8A, 13V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 342pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 47W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD50R650CEATMA1-ND IPD50R650CEATMA1TR SP001117708 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD50R650CEATMA1 | |
관련 링크 | IPD50R650, IPD50R650CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SM2615JTR910 | RES SMD 0.91 OHM 5% 1W 2615 | SM2615JTR910.pdf | ||
CY7C293AL-35SC | CY7C293AL-35SC CYPRESS SMD or Through Hole | CY7C293AL-35SC.pdf | ||
AC23V32200(TT)-044 | AC23V32200(TT)-044 DSE 32MMASKROM | AC23V32200(TT)-044.pdf | ||
PALCE16L8BCNL | PALCE16L8BCNL AMD PLCC20 | PALCE16L8BCNL.pdf | ||
R1114N351B-TR-F | R1114N351B-TR-F RICOH SOT23-5 | R1114N351B-TR-F.pdf | ||
AX400-00471 | AX400-00471 AMPHENOL SMD or Through Hole | AX400-00471.pdf | ||
MM58245 | MM58245 NS DIP | MM58245.pdf | ||
RSC-264T | RSC-264T SENSORY PLCC | RSC-264T.pdf | ||
F3D470-LX | F3D470-LX Sihiaon SOIC-24 | F3D470-LX.pdf | ||
Z08400BPS | Z08400BPS ZILOG DIP40 | Z08400BPS.pdf | ||
HB6295 | HB6295 ORIGINAL TSSOP-24 | HB6295.pdf | ||
F930J107MNC | F930J107MNC NICHICON SMD or Through Hole | F930J107MNC.pdf |