창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R650CEATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD50R650CE | |
| PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 1.8A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 342pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 47W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD50R650CEATMA1-ND IPD50R650CEATMA1TR SP001117708 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R650CEATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R650, IPD50R650CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TL88K15R0E | RES CHAS MNT 15 OHM 10% 114W | TL88K15R0E.pdf | |
![]() | RT2512BKE07110RL | RES SMD 110 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE07110RL.pdf | |
![]() | TNPW12102M00BEEN | RES SMD 2M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12102M00BEEN.pdf | |
![]() | CRA06P083300KJTA | RES ARRAY 4 RES 300K OHM 1206 | CRA06P083300KJTA.pdf | |
![]() | 8910 | 8910 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8910.pdf | |
![]() | MLL960B-1 | MLL960B-1 MICROSEMI SMD | MLL960B-1.pdf | |
![]() | UDZSTE-17-12B | UDZSTE-17-12B ROHM SMD or Through Hole | UDZSTE-17-12B.pdf | |
![]() | HRS4T | HRS4T ORIGINAL SMD or Through Hole | HRS4T.pdf | |
![]() | 0012RY004 | 0012RY004 NEC SMD or Through Hole | 0012RY004.pdf | |
![]() | 0603Y104Z025T | 0603Y104Z025T H-IEC 100nF25V | 0603Y104Z025T.pdf | |
![]() | 1XY2-0302 | 1XY2-0302 HP QFP160 | 1XY2-0302.pdf | |
![]() | MAX6043AAUT25#TG16 | MAX6043AAUT25#TG16 MAXIM TSSOP | MAX6043AAUT25#TG16.pdf |