창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R3K0CEBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx50R3K0CE | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 400mA, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 30µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 84pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 18W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD50R3K0CETR IPD50R3K0CETR-ND SP000992074 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R3K0CEBTMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R3K0, IPD50R3K0CEBTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R0DXAAC | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R0DXAAC.pdf | |
| AV-13.560MAGE-T | 13.56MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AV-13.560MAGE-T.pdf | ||
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![]() | DSPIC30F2011-30I/PT | DSPIC30F2011-30I/PT MICROCHIP SMD or Through Hole | DSPIC30F2011-30I/PT.pdf | |
![]() | CXP750097-602S | CXP750097-602S SONY DIP | CXP750097-602S.pdf | |
![]() | TV5715-AI | TV5715-AI TVIA LQFP100 | TV5715-AI.pdf | |
![]() | E8604 | E8604 china SMD or Through Hole | E8604.pdf | |
![]() | QS3VH16212PAG | QS3VH16212PAG IDT SMD or Through Hole | QS3VH16212PAG.pdf | |
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