Infineon Technologies IPD50R2K0CEAUMA1

IPD50R2K0CEAUMA1
제조업체 부품 번호
IPD50R2K0CEAUMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPD50R2K0CEAUMA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 220.23400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPD50R2K0CEAUMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD50R2K0CEAUMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD50R2K0CEAUMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPD50R2K0CEAUMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPD50R2K0CEAUMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPD50R2K0CEAUMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPD50R2K0CE, IPU50R2K0CE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™ CE
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2옴 @ 600mA, 13V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds124pF @ 100V
전력 - 최대22W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 2,500
다른 이름SP001396820
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPD50R2K0CEAUMA1
관련 링크IPD50R2K0, IPD50R2K0CEAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPD50R2K0CEAUMA1 의 관련 제품
470µH Wirewound Inductor 25mA 13 Ohm Max 1007 (2518 Metric) LB2518T471KV.pdf
RES SMD 51K OHM 1% 1/8W 0805 AC0805FR-0751KL.pdf
RES ARRAY 2 RES 68 OHM 0404 EXB-24V680JX.pdf
SZ3524 EIC SMA SZ3524.pdf
MPC880ZP66 FREESCAL SMD or Through Hole MPC880ZP66.pdf
ACT86PWR ORIGINAL SSOP ACT86PWR.pdf
H90-OY805 Pulse 1206 H90-OY805.pdf
MGT801 SEOUL LED MGT801.pdf
HD6435328RR17M HIT PLCC HD6435328RR17M.pdf
2SA781K HIT TO-92 2SA781K.pdf
PA7540JNI-15 ICT PLCC28 PA7540JNI-15.pdf