창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R280CEATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 500V CoolMOS CE Brief IPD50R280CE | |
| 애플리케이션 노트 | 500V CoolMOS CE Application Note | |
| PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.2A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 773pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 92W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD50R280CEATMA1-ND IPD50R280CEATMA1TR SP001117680 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R280CEATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R280, IPD50R280CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MT1516E1 | MT1516E1 MTK QFP | MT1516E1.pdf | |
![]() | AIT660G | AIT660G aat SMDDIP | AIT660G.pdf | |
![]() | CET3314TXB2K | CET3314TXB2K ABEL SMD or Through Hole | CET3314TXB2K.pdf | |
![]() | 180RKI100PBF | 180RKI100PBF IR SMD or Through Hole | 180RKI100PBF.pdf | |
![]() | LLK1H562MHSA | LLK1H562MHSA NICHICON DIP | LLK1H562MHSA.pdf | |
![]() | LS11-B | LS11-B LS DIP | LS11-B.pdf | |
![]() | SAFC947 | SAFC947 MURATA SMD or Through Hole | SAFC947.pdf | |
![]() | BYW91-300 | BYW91-300 ON/ST/NXP TO-220 | BYW91-300.pdf | |
![]() | D250R0P5 | D250R0P5 VISHAY SMD or Through Hole | D250R0P5.pdf | |
![]() | D36A2.1760ENS | D36A2.1760ENS HOSONIC SMD or Through Hole | D36A2.1760ENS.pdf | |
![]() | SH74303 | SH74303 NS TO-3 | SH74303.pdf |