창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50N08S413ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD50N08S4-13 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 33µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1711pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 72W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000988948 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD50N08S413ATMA1 | |
관련 링크 | IPD50N08S4, IPD50N08S413ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | FAC2596DD5-AD | FAC2596DD5-AD FirstSilicon SMD or Through Hole | FAC2596DD5-AD.pdf | |
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![]() | H07NRR1B471KTB | H07NRR1B471KTB ORIGINAL SMD or Through Hole | H07NRR1B471KTB.pdf | |
![]() | RN73E2BT 3321B | RN73E2BT 3321B AUK NA | RN73E2BT 3321B.pdf | |
![]() | EC04-1210GC/E | EC04-1210GC/E Everlight SMD or Through Hole | EC04-1210GC/E.pdf |