Infineon Technologies IPD50N03S4L06ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD50N03S4L06ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPD50N03S4L06ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 306.70560
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPD50N03S4L06ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD50N03S4L06ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD50N03S4L06ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPD50N03S4L06ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD50N03S4L06ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50N03S4L06ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD50N03S4L-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 20µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000415580 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50N03S4L06ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50N03S4, IPD50N03S4L06ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPD50N03S4L06ATMA1 의 관련 제품
| MALREKA05KS322S00K | 220µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 900 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALREKA05KS322S00K.pdf | |
| MKP386M439250JT4 | 0.39µF Film Capacitor 800V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.732" L x 1.181" W (44.00mm x 30.00mm) | MKP386M439250JT4.pdf | |
| TS040F33IDT | 4MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS040F33IDT.pdf | |
| 1945-27G | 330µH Unshielded Molded Inductor 142mA 8.9 Ohm Max Axial | 1945-27G.pdf | |
| UMH3N TN | UMH3N TN ROHM SOT363 | UMH3N TN.pdf | |
| W79E532A40DN | W79E532A40DN WINBOND SMD or Through Hole | W79E532A40DN.pdf | |
| TLE4601-EC11 | TLE4601-EC11 INFINEON LQFP100 | TLE4601-EC11.pdf | |
| 1417H4H | 1417H4H OK SMD or Through Hole | 1417H4H.pdf | |
| TPS780300250DRVT | TPS780300250DRVT TI SMD or Through Hole | TPS780300250DRVT.pdf | |
| HC1201A | HC1201A ORIGINAL TO-254 | HC1201A.pdf | |
| C8BBPH853025+L/W-1 | C8BBPH853025+L/W-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | C8BBPH853025+L/W-1.pdf | |
| FJV4110RMTF TEL:82766440 | FJV4110RMTF TEL:82766440 FAI SOT-23 | FJV4110RMTF TEL:82766440.pdf |