창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50N03S4L06ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD50N03S4L-06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000415580 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD50N03S4L06ATMA1 | |
관련 링크 | IPD50N03S4, IPD50N03S4L06ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-B1BJ2R2U | RES SMD 2.2 OHM 2W 2010 WIDE | ERJ-B1BJ2R2U.pdf | |
![]() | REG103FA-5KTTTG3 | REG103FA-5KTTTG3 BB TO263-5 | REG103FA-5KTTTG3.pdf | |
![]() | IS65C256-20UA2 | IS65C256-20UA2 ISSI SMD or Through Hole | IS65C256-20UA2.pdf | |
![]() | EPC8Q1100 | EPC8Q1100 ALTERA QFP | EPC8Q1100.pdf | |
![]() | BDV67B/BDV66B | BDV67B/BDV66B MOSPEC TO-3P | BDV67B/BDV66B.pdf | |
![]() | 2SB772AZ-P | 2SB772AZ-P NEC SMD or Through Hole | 2SB772AZ-P.pdf | |
![]() | 10V/33UF/D | 10V/33UF/D VISHAY D | 10V/33UF/D.pdf | |
![]() | TSOP4136ST1 | TSOP4136ST1 VISHAY SMD or Through Hole | TSOP4136ST1.pdf | |
![]() | TCSCF0J225MUAR | TCSCF0J225MUAR ORIGINAL 6.3V2.2J | TCSCF0J225MUAR.pdf | |
![]() | M35010-MSP | M35010-MSP ORIGINAL DIP | M35010-MSP.pdf | |
![]() | ISPLSI2064VE135LT1 | ISPLSI2064VE135LT1 LATT TQFP100 | ISPLSI2064VE135LT1.pdf |