창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50N03S4L06ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD50N03S4L-06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000415580 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD50N03S4L06ATMA1 | |
관련 링크 | IPD50N03S4, IPD50N03S4L06ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ5335BE3/TR13 | DIODE ZENER 3.9V 5W SMBJ | SMBJ5335BE3/TR13.pdf | |
![]() | IRF820ASPBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | IRF820ASPBF.pdf | |
![]() | NCT375MNR2G | THERMAL SENSOR | NCT375MNR2G.pdf | |
![]() | GPHC201-0902B012B1BC | GPHC201-0902B012B1BC GREENCON SMD or Through Hole | GPHC201-0902B012B1BC.pdf | |
![]() | HD40472BA74S | HD40472BA74S HIT SMD or Through Hole | HD40472BA74S.pdf | |
![]() | BAT54F TEL:82766440 | BAT54F TEL:82766440 ST SOT-23 | BAT54F TEL:82766440.pdf | |
![]() | IP34060AN | IP34060AN IPS DIP14 | IP34060AN.pdf | |
![]() | SE015N | SE015N SANKEN ORIGINAL | SE015N.pdf | |
![]() | SF10145T-681M | SF10145T-681M UNITED SMD | SF10145T-681M.pdf | |
![]() | M16WTP-PN-E | M16WTP-PN-E TCL SMD or Through Hole | M16WTP-PN-E.pdf | |
![]() | LTP521-4 | LTP521-4 TOSHIBA DIP-16 | LTP521-4.pdf | |
![]() | EPM7064LC84-84-10 | EPM7064LC84-84-10 ALTERA PLCC84 | EPM7064LC84-84-10.pdf |