창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD33CN10NGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx3xCN10N G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 27A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 29µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 58W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD33CN10NGATMA1 | |
관련 링크 | IPD33CN10, IPD33CN10NGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CDRH73NP-391MC-B | 390µH Shielded Inductor 260mA 2.94 Ohm Max Nonstandard | CDRH73NP-391MC-B.pdf | |
![]() | MBB02070D8202DC100 | RES 82K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D8202DC100.pdf | |
![]() | Y08752K00000T9L | RES 2K OHM .3W .01% RADIAL | Y08752K00000T9L.pdf | |
![]() | 2SC3735/B35/05 | 2SC3735/B35/05 NEC SMD or Through Hole | 2SC3735/B35/05.pdf | |
![]() | PALCE16V8H-15J | PALCE16V8H-15J ORIGINAL PLCC | PALCE16V8H-15J.pdf | |
![]() | BQ-SD360-80W | BQ-SD360-80W BEEQOO SMD or Through Hole | BQ-SD360-80W.pdf | |
![]() | AVF4910A B1 | AVF4910A B1 MICRONAS QFP | AVF4910A B1.pdf | |
![]() | BD9071 | BD9071 ROHM TO252 | BD9071.pdf | |
![]() | LD1085D2M1.8 | LD1085D2M1.8 ST TO-263 | LD1085D2M1.8.pdf | |
![]() | RP751-3C | RP751-3C ORIGINAL QFN-64 | RP751-3C.pdf | |
![]() | AT49BV8192AT-90TU | AT49BV8192AT-90TU ATMEL TSOP48 | AT49BV8192AT-90TU.pdf | |
![]() | NRSH332M10V12.5 x 20F | NRSH332M10V12.5 x 20F NIC DIP | NRSH332M10V12.5 x 20F.pdf |