Infineon Technologies IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1
제조업체 부품 번호
IPD33CN10NGATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPD33CN10NGATMA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 326.17728
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPD33CN10NGATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD33CN10NGATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD33CN10NGATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPD33CN10NGATMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPD33CN10NGATMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPD33CN10NGATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx3xCN10N G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C27A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs33m옴 @ 27A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 29µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1570pF @ 50V
전력 - 최대58W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 2,500
다른 이름IPD33CN10NGATMA1-ND
IPD33CN10NGATMA1TR
SP001127812
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPD33CN10NGATMA1
관련 링크IPD33CN10, IPD33CN10NGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPD33CN10NGATMA1 의 관련 제품
22F Supercap 2.5V Radial, Can 100 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.630" Dia (16.00mm) 2.5DMB22M16X25.pdf
DIODE ZENER 7.5V 150MW SOT523 MMBZ5236BT-7-F.pdf
75325 TI DIP 75325.pdf
AZ23B15-V-G-GS08 VISHAY SOT-23 AZ23B15-V-G-GS08.pdf
LT2050IS8 LT SOP8 LT2050IS8.pdf
2SC5615-T1 NEC SOT-52 2SC5615-T1.pdf
OP77GSZ-REEL AD SOP8 OP77GSZ-REEL.pdf
APL5901-25KC-TRL ANPEC SOP-8 APL5901-25KC-TRL.pdf
CM105B225K10AT KYOCERA B225K6.3V1608 CM105B225K10AT.pdf
LM2674MF-ADJ NS SOT23-5 LM2674MF-ADJ.pdf
MT4LC1M6E5DJ-5 MICRON SMD or Through Hole MT4LC1M6E5DJ-5.pdf
TND027MP SANYO TO-92L TND027MP.pdf