창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD30N06S223ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD30N06S2-23 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 901pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001061722 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD30N06S223ATMA2 | |
관련 링크 | IPD30N06S2, IPD30N06S223ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 18251A183JAT2A | 0.018µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.180" L x 0.250" W(4.57mm x 6.35mm) | 18251A183JAT2A.pdf | |
![]() | CRCW20105R10JNTF | RES SMD 5.1 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20105R10JNTF.pdf | |
![]() | OPB825 | SENS OPTO SLOT 4.06MM TRANS THRU | OPB825.pdf | |
![]() | SE171 | SE171 DENSO DIP24 | SE171.pdf | |
![]() | BC128 | BC128 FCS TO-92 | BC128.pdf | |
![]() | CY6264LL-70SHI | CY6264LL-70SHI CYPRESS SOP | CY6264LL-70SHI.pdf | |
![]() | C1005X5R1C154KT | C1005X5R1C154KT TDK SMD or Through Hole | C1005X5R1C154KT.pdf | |
![]() | M30S2250-020 | M30S2250-020 OKI QFP | M30S2250-020.pdf | |
![]() | KS8606 | KS8606 SEC DIP14 | KS8606.pdf | |
![]() | 160VXR1800M30X50 | 160VXR1800M30X50 RUBYCON SMD or Through Hole | 160VXR1800M30X50.pdf | |
![]() | RJMGE63128101 | RJMGE63128101 AMP CONN | RJMGE63128101.pdf | |
![]() | FPD92211SPX/NOPB | FPD92211SPX/NOPB NationalSemicondu SMD or Through Hole | FPD92211SPX/NOPB.pdf |