창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD30N06S215ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD30N06S2-15 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.7m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 80µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1485pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD30N06S215ATMA2-ND IPD30N06S215ATMA2TR SP001061724 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD30N06S215ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPD30N06S2, IPD30N06S215ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | NLCV32T-2R2M-PFD | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 770mA 169 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLCV32T-2R2M-PFD.pdf | |
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![]() | CMF20220K00JNBF | RES 220K OHM 1W 5% AXIAL | CMF20220K00JNBF.pdf | |
![]() | 24C02NB2 | 24C02NB2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 24C02NB2.pdf | |
![]() | SCH2308 | SCH2308 SANYO SMD or Through Hole | SCH2308.pdf | |
![]() | DA4N | DA4N Org SMD or Through Hole | DA4N.pdf | |
![]() | SWEL2012LR27K | SWEL2012LR27K XYT SMD or Through Hole | SWEL2012LR27K.pdf | |
![]() | N6224 | N6224 ORIGINAL TO-92 | N6224.pdf | |
![]() | A44L-0001-0166#300C | A44L-0001-0166#300C FANUC SMD or Through Hole | A44L-0001-0166#300C.pdf |