창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD25N06S4L30ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD25N06S4L-30 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 8µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 29W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001028636 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD25N06S4L30ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPD25N06S4, IPD25N06S4L30ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F48013IAR | 48MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48013IAR.pdf | |
![]() | MXO45HS-3C-60M0000 | 60MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 60mA Standby (Power Down) | MXO45HS-3C-60M0000.pdf | |
![]() | AC0603FR-072K37L | RES SMD 2.37K OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-072K37L.pdf | |
![]() | ATTINY85-20PU | ATTINY85-20PU Atmel SMD or Through Hole | ATTINY85-20PU.pdf | |
![]() | LTV814M | LTV814M LITE-ON SMD or Through Hole | LTV814M.pdf | |
![]() | SI4890D4-T1 | SI4890D4-T1 SILICONIX SMD or Through Hole | SI4890D4-T1.pdf | |
![]() | AVH | AVH max SMD or Through Hole | AVH.pdf | |
![]() | STME-EyeQ1 | STME-EyeQ1 ST BGA | STME-EyeQ1.pdf | |
![]() | G2SB80 | G2SB80 VISHAY SMD or Through Hole | G2SB80.pdf | |
![]() | NTP12P10 | NTP12P10 ONS SOP8 | NTP12P10.pdf | |
![]() | BN033 | BN033 SANYO DIP | BN033.pdf |