창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD25CN10NGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx2xCN10N G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 39µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2070pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD25CN10NGATMA1-ND IPD25CN10NGATMA1TR SP001127810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD25CN10NGATMA1 | |
관련 링크 | IPD25CN10, IPD25CN10NGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | HRG3216P-1332-B-T1 | RES SMD 13.3K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1332-B-T1.pdf | |
![]() | CRCW06033K57DHTAP | RES SMD 3.57KOHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW06033K57DHTAP.pdf | |
![]() | TSM-102-01-T-DV-M-TR | TSM-102-01-T-DV-M-TR SAMTEC ORIGINAL | TSM-102-01-T-DV-M-TR.pdf | |
![]() | PY28405OC-3 | PY28405OC-3 CypressSemiconduc SMD or Through Hole | PY28405OC-3.pdf | |
![]() | HSMS-2825-BLK | HSMS-2825-BLK ORIGINAL SMD or Through Hole | HSMS-2825-BLK.pdf | |
![]() | MM1385INRE | MM1385INRE MITSUMI SOT-153 | MM1385INRE.pdf | |
![]() | CGA3E2C0G1H030C | CGA3E2C0G1H030C TDK SMD | CGA3E2C0G1H030C.pdf | |
![]() | FIE503 | FIE503 TOS TO252 | FIE503.pdf | |
![]() | 1AB10499 | 1AB10499 ORIGINAL BGA | 1AB10499.pdf | |
![]() | CST6Q | CST6Q N/A QFN | CST6Q.pdf |