창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD090N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(D,F,S,U)090N03LG | |
PCN 설계/사양 | CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD090N03LGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD090N03L G | |
관련 링크 | IPD090N, IPD090N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
510PCA-BAAG | 125MHz ~ 169.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 510PCA-BAAG.pdf | ||
RAVF164DFT620R | RES ARRAY 4 RES 620 OHM 1206 | RAVF164DFT620R.pdf | ||
302SN. | 302SN. INFINEON SMD or Through Hole | 302SN..pdf | ||
4776VF | 4776VF PHI TSSOP | 4776VF.pdf | ||
SK2-0G475M-RA | SK2-0G475M-RA ALAN A | SK2-0G475M-RA.pdf | ||
ST92195C7B1/MTO | ST92195C7B1/MTO ST DIP-56 | ST92195C7B1/MTO.pdf | ||
SG-3040JC | SG-3040JC EPSON SMD | SG-3040JC.pdf | ||
74HC125 TSSOP | 74HC125 TSSOP ORIGINAL SMD | 74HC125 TSSOP.pdf | ||
LT1037MH | LT1037MH LT CAN | LT1037MH.pdf | ||
LH2110D/883C | LH2110D/883C NS CDIP | LH2110D/883C.pdf | ||
TN0200-T1 | TN0200-T1 sileconix NA | TN0200-T1.pdf | ||
UM615121AM25 | UM615121AM25 UMC SOP | UM615121AM25.pdf |