창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD088N06N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD088N06N3 G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD088N06N3 G-ND IPD088N06N3G IPD088N06N3GBTMA1 SP000453620 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD088N06N3 G | |
관련 링크 | IPD088N, IPD088N06N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SZESD7351XV2T1G | TVS DIODE 3.3VWM SOD523-2 | SZESD7351XV2T1G.pdf | |
![]() | 1331R-333K | 33µH Shielded Inductor 83mA 6.5 Ohm Max 2-SMD | 1331R-333K.pdf | |
![]() | ERJ-14NF88R7U | RES SMD 88.7 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF88R7U.pdf | |
![]() | KTR25JZPJ164 | RES SMD 160K OHM 5% 1/3W 1210 | KTR25JZPJ164.pdf | |
![]() | WDRR1A03A0A | SWITCH WIRELESS RF DIN RAIL | WDRR1A03A0A.pdf | |
![]() | OCI-4161101H | OCI-4161101H ORIGINAL TSOP | OCI-4161101H.pdf | |
![]() | NTD30X7R1H335M | NTD30X7R1H335M NIPPON DIP | NTD30X7R1H335M.pdf | |
![]() | 314081200 | 314081200 MOLEXINTERCONNECT SMD or Through Hole | 314081200.pdf | |
![]() | HP32E821MRY | HP32E821MRY HITACHI DIP | HP32E821MRY.pdf | |
![]() | SN65LVDS250DBT/R | SN65LVDS250DBT/R TI SMD or Through Hole | SN65LVDS250DBT/R.pdf | |
![]() | RN2102(TE85L,F) | RN2102(TE85L,F) TOSHIBA SSM.RE | RN2102(TE85L,F).pdf | |
![]() | LEF2-6SE-5TN144C | LEF2-6SE-5TN144C LATTICE QFP144 | LEF2-6SE-5TN144C.pdf |