창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD068N10N3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD068N10N3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4910pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD068N10N3GATMA1TR SP001127816 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD068N10N3GATMA1 | |
관련 링크 | IPD068N10N, IPD068N10N3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B5J2K7 | RES 2.7K OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J2K7.pdf | |
![]() | SRC1205E/F | SRC1205E/F AUK SOT-523F | SRC1205E/F.pdf | |
![]() | CDE-9S 05 | CDE-9S 05 HRS SMD or Through Hole | CDE-9S 05.pdf | |
![]() | ST1116A/B | ST1116A/B SITI SMD or Through Hole | ST1116A/B.pdf | |
![]() | XCV2600E-7FG1156C | XCV2600E-7FG1156C XILINX BGA | XCV2600E-7FG1156C.pdf | |
![]() | C10-K4L-680 | C10-K4L-680 MITSUMI SMD | C10-K4L-680.pdf | |
![]() | 03P4M-T | 03P4M-T NEC TO-92 | 03P4M-T.pdf | |
![]() | 88SA8040B1-TB1C000 | 88SA8040B1-TB1C000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 88SA8040B1-TB1C000.pdf | |
![]() | VJ2225A222KXOAT5Z | VJ2225A222KXOAT5Z ORIGINAL SMD or Through Hole | VJ2225A222KXOAT5Z.pdf | |
![]() | IDT72215L50PF | IDT72215L50PF IDT TQFP | IDT72215L50PF.pdf | |
![]() | SI5546NL | SI5546NL SILICONIX SOIC-8 | SI5546NL.pdf | |
![]() | 159N10LS | 159N10LS Infineon TSDSON-8 | 159N10LS.pdf |