창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD053N06N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD053N06N | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 36µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD053N06NATMA1 IPD053N06NTR IPD053N06NXTMA1 SP000962138 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD053N06N | |
관련 링크 | IPD053, IPD053N06N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VS-SD700C30L | DIODE MODULE 3KV 700A DO200AB | VS-SD700C30L.pdf | ||
CRCW06031R00JNEAHP | RES SMD 1 OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW06031R00JNEAHP.pdf | ||
AA0603JR-0791KL | RES SMD 91K OHM 5% 1/10W 0603 | AA0603JR-0791KL.pdf | ||
RG3216V-1372-P-T1 | RES SMD 13.7KOHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-1372-P-T1.pdf | ||
S1R72V05F00A2 | S1R72V05F00A2 ORIGINAL SMD or Through Hole | S1R72V05F00A2.pdf | ||
ZH-TD92-C3 | ZH-TD92-C3 ORIGINAL SMD or Through Hole | ZH-TD92-C3.pdf | ||
TPS72516DCQRG4 | TPS72516DCQRG4 TI SOT223-5 | TPS72516DCQRG4.pdf | ||
SN74ACT16244DL | SN74ACT16244DL TI SSOP-48 | SN74ACT16244DL.pdf | ||
AFN7420S32RG | AFN7420S32RG ALFA-MOS SMD or Through Hole | AFN7420S32RG.pdf | ||
EP2A70B724I8 | EP2A70B724I8 ALTERA BGA | EP2A70B724I8.pdf | ||
FC145 32.768KHZ12.5PF 20PPM | FC145 32.768KHZ12.5PF 20PPM EPS SMD or Through Hole | FC145 32.768KHZ12.5PF 20PPM.pdf | ||
UPA1809GR | UPA1809GR NEC TSSOP-8 | UPA1809GR.pdf |