창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD04N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(D,F,S,U)04N03LB G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD04N03LBG IPD04N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD04N03LB G | |
관련 링크 | IPD04N0, IPD04N03LB G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AC1210JR-07430KL | RES SMD 430K OHM 5% 1/2W 1210 | AC1210JR-07430KL.pdf | |
![]() | MK2212FE-R52 | RES 22.1K OHM 1/4W 1% AXIAL | MK2212FE-R52.pdf | |
![]() | AMC7585-3.3 | AMC7585-3.3 AMC/ADD/ TO220 | AMC7585-3.3.pdf | |
![]() | FH809T-E TEL:82766440 | FH809T-E TEL:82766440 FH SMD or Through Hole | FH809T-E TEL:82766440.pdf | |
![]() | ERJ12YJ362H-3.6K | ERJ12YJ362H-3.6K panasonic 1812 | ERJ12YJ362H-3.6K.pdf | |
![]() | LT1139ACSW | LT1139ACSW ORIGINAL S024 | LT1139ACSW .pdf | |
![]() | AT89C51RB-IL | AT89C51RB-IL AT SMD or Through Hole | AT89C51RB-IL.pdf | |
![]() | RTD-243.3 | RTD-243.3 RECOM SMD | RTD-243.3.pdf | |
![]() | ML4895ES | ML4895ES ML SMD | ML4895ES.pdf | |
![]() | GT817X. | GT817X. TI TSSOP24 | GT817X..pdf | |
![]() | INIP1015CB | INIP1015CB HARRYS SOP8 | INIP1015CB.pdf |