창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD04N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(D,F,S,U)04N03LB G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD04N03LBG IPD04N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD04N03LB G | |
관련 링크 | IPD04N0, IPD04N03LB G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
B43601G2108M80 | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 90 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601G2108M80.pdf | ||
08052A101KAT4A | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052A101KAT4A.pdf | ||
RN2313(TE85L,F) | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | RN2313(TE85L,F).pdf | ||
AA0201FR-072K71L | RES SMD 2.71K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-072K71L.pdf | ||
NDS7002A / 712 | NDS7002A / 712 FAIRCHILD SOT-23 | NDS7002A / 712.pdf | ||
RMUMK212CH680JQ | RMUMK212CH680JQ TAIYO SMD or Through Hole | RMUMK212CH680JQ.pdf | ||
OF11T | OF11T ALEPH SIDE-DIP-3 | OF11T.pdf | ||
IX3121CE | IX3121CE SHARP O-NEW | IX3121CE.pdf | ||
DF20SC4M | DF20SC4M ORIGINAL ITO-220 | DF20SC4M.pdf | ||
KF414BV | KF414BV KEC SMD or Through Hole | KF414BV.pdf | ||
MAX15005IAG+T | MAX15005IAG+T MAXIM QFN | MAX15005IAG+T.pdf | ||
PE4272-EK | PE4272-EK PEREGRINE MSOP8 | PE4272-EK.pdf |