창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD04N03LB G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(D,F,S,U)04N03LB G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPD04N03LBG IPD04N03LBGINCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD04N03LB G | |
| 관련 링크 | IPD04N0, IPD04N03LB G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ8.5CA-TP | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMB | SMBJ8.5CA-TP.pdf | |
![]() | TPSMB22AHE3/5BT | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC SMB | TPSMB22AHE3/5BT.pdf | |
![]() | MCA12060D2802BP500 | RES SMD 28K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D2802BP500.pdf | |
![]() | 45J470E | RES 470 OHM 5W 5% AXIAL | 45J470E.pdf | |
![]() | MB3120 | MB3120 FUJI SOP-16 | MB3120.pdf | |
![]() | UPD78F1152 | UPD78F1152 NEC LQFP-80 | UPD78F1152.pdf | |
![]() | 7372A | 7372A ORIGINAL SMD or Through Hole | 7372A.pdf | |
![]() | K7A403600M-QCK1 | K7A403600M-QCK1 ORIGINAL QFP | K7A403600M-QCK1.pdf | |
![]() | IRF830L | IRF830L IR TO-262 | IRF830L.pdf | |
![]() | LAN9312-NZW | LAN9312-NZW StandardMicrosystems SMD or Through Hole | LAN9312-NZW.pdf | |
![]() | 1N2224A | 1N2224A MOT MODULE | 1N2224A.pdf | |
![]() | MID-38A12 | MID-38A12 UNITYOPTO ROHS | MID-38A12.pdf |