창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD04N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(D,F,S,U)04N03LB G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD04N03LBG IPD04N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD04N03LB G | |
관련 링크 | IPD04N0, IPD04N03LB G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LD031A5R6CAB2A | 5.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD031A5R6CAB2A.pdf | |
![]() | RT0805BRB0726R7L | RES SMD 26.7 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB0726R7L.pdf | |
![]() | TBH25PR050JE | RES 0.05 OHM 25W 5% TO220 | TBH25PR050JE.pdf | |
![]() | 25JR10E | RES 0.1 OHM 5W 5% AXIAL | 25JR10E.pdf | |
![]() | D6500C11BQC | D6500C11BQC DSP PQFP | D6500C11BQC.pdf | |
![]() | M21109045-008 | M21109045-008 ORIGINAL SMD or Through Hole | M21109045-008.pdf | |
![]() | CM05X7R471K16AH | CM05X7R471K16AH KYOCERA SMD or Through Hole | CM05X7R471K16AH.pdf | |
![]() | AD5161BRMZ | AD5161BRMZ AD MSOP-10 | AD5161BRMZ.pdf | |
![]() | S15A50P | S15A50P MOSPEC TO-220-2 | S15A50P.pdf | |
![]() | 1LX506 | 1LX506 SONY DIP | 1LX506.pdf | |
![]() | UPD444012AGY-D10X-MJH | UPD444012AGY-D10X-MJH NEC TSOP | UPD444012AGY-D10X-MJH.pdf | |
![]() | 24.576000MHZ-18.0PF | 24.576000MHZ-18.0PF TCCH SMD or Through Hole | 24.576000MHZ-18.0PF.pdf |