창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD04N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(D,F,S,U)04N03LB G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD04N03LBG IPD04N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD04N03LB G | |
관련 링크 | IPD04N0, IPD04N03LB G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | HBO-35 | BUSS ONE TIME FUSE | HBO-35.pdf | |
![]() | EEEFK1E471P | EEEFK1E471P PANASONIC SMD or Through Hole | EEEFK1E471P.pdf | |
![]() | STM32F101R6T6 | STM32F101R6T6 ST LQFP64 | STM32F101R6T6.pdf | |
![]() | 8809CSBNG4FH2 | 8809CSBNG4FH2 ORIGINAL DIP | 8809CSBNG4FH2.pdf | |
![]() | HCF4070BT | HCF4070BT PHILIPS SMD | HCF4070BT.pdf | |
![]() | S1X58174B00C0 | S1X58174B00C0 TOSHIBA BGA | S1X58174B00C0.pdf | |
![]() | MB88514B-1183N | MB88514B-1183N ORIGINAL SMD or Through Hole | MB88514B-1183N.pdf | |
![]() | 0603F 12R1 | 0603F 12R1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603F 12R1.pdf | |
![]() | SY4990 | SY4990 SANY WCSP-9 | SY4990.pdf | |
![]() | TC7SZ00AFETE85L | TC7SZ00AFETE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7SZ00AFETE85L.pdf | |
![]() | 91MCE18-P1B | 91MCE18-P1B Honeywell SMD or Through Hole | 91MCE18-P1B.pdf |