창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD03N03LA G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD,IPS03N03LA G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD03N03LAG IPD03N03LAGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD03N03LA G | |
관련 링크 | IPD03N0, IPD03N03LA G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CM9900R-274 | 270µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.2A DCR 51 mOhm | CM9900R-274.pdf | |
![]() | SSR1N60 | SSR1N60 FAI TO252 | SSR1N60.pdf | |
![]() | MADCSM0006 | MADCSM0006 MACOM TQFP | MADCSM0006.pdf | |
![]() | STN4850 | STN4850 STANSON SOP-8 | STN4850.pdf | |
![]() | 844-02402000000 | 844-02402000000 ITT SMD or Through Hole | 844-02402000000.pdf | |
![]() | UPD64G-449 | UPD64G-449 NEC N A | UPD64G-449.pdf | |
![]() | SN7518B | SN7518B TI SOP-5.2-14P | SN7518B.pdf | |
![]() | DD40F | DD40F HITACHI SMD or Through Hole | DD40F.pdf | |
![]() | MAX4810CTN | MAX4810CTN MAXIM QFN56 | MAX4810CTN.pdf | |
![]() | SZ1005G600T | SZ1005G600T ORIGINAL SMD or Through Hole | SZ1005G600T.pdf |