창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD031N03LGBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(D,S)031N03L G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000236957 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD031N03LGBTMA1 | |
| 관련 링크 | IPD031N03, IPD031N03LGBTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SMC3K64CAHM3/9A | TVS DIODE 64VWM 103VC DO-214AB | SMC3K64CAHM3/9A.pdf | |
![]() | VG039NCHXTB502 ( 5K ) | VG039NCHXTB502 ( 5K ) ORIGINAL SMD or Through Hole | VG039NCHXTB502 ( 5K ).pdf | |
![]() | TC45112BP | TC45112BP TOSHIBA DIP | TC45112BP.pdf | |
![]() | VP02747-1-27-9053 | VP02747-1-27-9053 VLSI DIP | VP02747-1-27-9053.pdf | |
![]() | MB606R49PF-G-BND | MB606R49PF-G-BND FUJITSU QFP | MB606R49PF-G-BND.pdf | |
![]() | ICVN1003A100 | ICVN1003A100 ICT SMD | ICVN1003A100.pdf | |
![]() | XC62060332MR | XC62060332MR TOREX SOT23 | XC62060332MR.pdf | |
![]() | CR329100FL | CR329100FL asj SMD or Through Hole | CR329100FL.pdf | |
![]() | IRLR2905TRL | IRLR2905TRL IR SMD or Through Hole | IRLR2905TRL.pdf | |
![]() | TA022AFN | TA022AFN TOSIBA SMD | TA022AFN.pdf | |
![]() | CY29FCT818CTSO | CY29FCT818CTSO CYPRESS SOP | CY29FCT818CTSO.pdf | |
![]() | EVM1SSW50B12 | EVM1SSW50B12 PANASONIC 3X3-100R | EVM1SSW50B12.pdf |