창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPC80N04S403ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPC80N04S4-03 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5720pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-23 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001138828 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPC80N04S403ATMA1 | |
관련 링크 | IPC80N04S4, IPC80N04S403ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ1210A151JBBAT4X | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A151JBBAT4X.pdf | ||
TNPU120617K8BZEN00 | RES SMD 17.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU120617K8BZEN00.pdf | ||
P87C654X2FA-S | P87C654X2FA-S PHILIPS PLCC-44P | P87C654X2FA-S.pdf | ||
DF30CJ-34DS-0.4V(82) | DF30CJ-34DS-0.4V(82) HRS SMD or Through Hole | DF30CJ-34DS-0.4V(82).pdf | ||
W7113PBC/H | W7113PBC/H KIBGBRIGHT ROHS | W7113PBC/H.pdf | ||
SY10EL11VZ | SY10EL11VZ MICREL SOP | SY10EL11VZ.pdf | ||
SST89E58RD2A-40-I-TQJE | SST89E58RD2A-40-I-TQJE MICROCHIP SMD or Through Hole | SST89E58RD2A-40-I-TQJE.pdf | ||
GS6267 | GS6267 MITEL SOP | GS6267.pdf | ||
CL31F334BNC | CL31F334BNC SAMSUNG SMD | CL31F334BNC.pdf | ||
RC-06K201JT | RC-06K201JT ORIGINAL SMD or Through Hole | RC-06K201JT.pdf | ||
4816P-001 | 4816P-001 VISHAY SOP16 | 4816P-001.pdf | ||
VS552AD | VS552AD N QFP | VS552AD.pdf |