창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB90N04S402ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx90N04S4-02 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 95µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB90N04S4-02 IPB90N04S4-02-ND SP000646182 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB90N04S402ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB90N04S4, IPB90N04S402ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | KLKD004.HXR | FUSE CRTRDGE 4A 600VAC/DC NONSTD | KLKD004.HXR.pdf | |
![]() | 416F27035CAT | 27MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27035CAT.pdf | |
![]() | RT1206FRE077K87L | RES SMD 7.87K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE077K87L.pdf | |
![]() | AT0603CRD0721R5L | RES SMD 21.5OHM 0.25% 1/10W 0603 | AT0603CRD0721R5L.pdf | |
![]() | Y000768R0000T9L | RES 68 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000768R0000T9L.pdf | |
![]() | BD682T | BD682T ORIGINAL SMD or Through Hole | BD682T.pdf | |
![]() | SS1335 | SS1335 cx SMD or Through Hole | SS1335.pdf | |
![]() | NG88CURP/QG86 | NG88CURP/QG86 INTEL BGA | NG88CURP/QG86.pdf | |
![]() | HFB60HF20CSCV | HFB60HF20CSCV InternationalRectifier SMD or Through Hole | HFB60HF20CSCV.pdf | |
![]() | P215PH04FNO | P215PH04FNO WESTCODE STUD MODULE | P215PH04FNO.pdf | |
![]() | HCS362-I/ST | HCS362-I/ST MICROCHIP TSSOP-8 | HCS362-I/ST.pdf |