창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB90N04S402ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx90N04S4-02 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 95µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB90N04S4-02 IPB90N04S4-02-ND SP000646182 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB90N04S402ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB90N04S4, IPB90N04S402ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | AD965 | AD965 ORIGINAL SMD or Through Hole | AD965 .pdf | |
![]() | DP133-064323E | DP133-064323E ORIGINAL Tray | DP133-064323E.pdf | |
![]() | MMBTH34_Q | MMBTH34_Q ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBTH34_Q.pdf | |
![]() | CD14538BME4 | CD14538BME4 TI SOIC | CD14538BME4.pdf | |
![]() | TLK1201IRCP | TLK1201IRCP TI SMD or Through Hole | TLK1201IRCP.pdf | |
![]() | SG3524N | SG3524N ORIGINAL DIP | SG3524N .pdf | |
![]() | TIP127 (903) | TIP127 (903) ST TO-220 | TIP127 (903).pdf | |
![]() | QMV295AY1 | QMV295AY1 NORTEL PGA | QMV295AY1.pdf | |
![]() | 74ALS646N | 74ALS646N PHILIPS DIP24 | 74ALS646N.pdf | |
![]() | FZ12100R16KF4S1 | FZ12100R16KF4S1 ORIGINAL SMD or Through Hole | FZ12100R16KF4S1.pdf | |
![]() | HD64F2372RVLP34 | HD64F2372RVLP34 ORIGINAL SMD or Through Hole | HD64F2372RVLP34.pdf | |
![]() | FD10290CU | FD10290CU SIEMENS DIP6 | FD10290CU.pdf |