창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80P04P4L08ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80P04P4L-08 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000840208 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80P04P4L08ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80P04P4, IPB80P04P4L08ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GCM3195C2A562JA16D | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GCM3195C2A562JA16D.pdf | |
![]() | S1AB-S1MB | S1AB-S1MB ORIGINAL SMB | S1AB-S1MB.pdf | |
![]() | DL5231B | DL5231B N/A SMD | DL5231B.pdf | |
![]() | MAX1406CWE1 | MAX1406CWE1 MAXIM SOIC16 | MAX1406CWE1.pdf | |
![]() | VC3D25 | VC3D25 HONEYWELL SMD or Through Hole | VC3D25.pdf | |
![]() | AM186CU-25KC/W | AM186CU-25KC/W AMD QFP | AM186CU-25KC/W.pdf | |
![]() | F0805BOR75FWTR | F0805BOR75FWTR AVX SMD or Through Hole | F0805BOR75FWTR.pdf | |
![]() | IDT75S10010A-200BR | IDT75S10010A-200BR IDT BGA | IDT75S10010A-200BR.pdf | |
![]() | 4066FP | 4066FP ORIGINAL SMD or Through Hole | 4066FP.pdf | |
![]() | QYX2A103KTP3TA | QYX2A103KTP3TA NICHICON DIP | QYX2A103KTP3TA.pdf | |
![]() | 2.2UF 250V 6X12 | 2.2UF 250V 6X12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.2UF 250V 6X12.pdf | |
![]() | DG508AEWE-C30140 | DG508AEWE-C30140 MAX Call | DG508AEWE-C30140.pdf |