창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80P04P4L04ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80P04P4L-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 176nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000840196 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80P04P4L04ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80P04P4, IPB80P04P4L04ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 35ZLJ100MT16.3X11 | 100µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | 35ZLJ100MT16.3X11.pdf | |
![]() | T525T336M010ATE080 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 1411 (3528 Metric) 80 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T525T336M010ATE080.pdf | |
![]() | Radeon-P | Radeon-P ATI BGA | Radeon-P.pdf | |
![]() | 1N2835RA | 1N2835RA MOTOROLA TO-3 | 1N2835RA.pdf | |
![]() | P40361 | P40361 KC PLCC-84 | P40361.pdf | |
![]() | VP0345N5 | VP0345N5 SUPERTEX TO-220-3 | VP0345N5.pdf | |
![]() | TMS320VC5410AG | TMS320VC5410AG ORIGINAL SMD or Through Hole | TMS320VC5410AG.pdf | |
![]() | F1109525ACFA06E | F1109525ACFA06E Cantherm SMD or Through Hole | F1109525ACFA06E.pdf | |
![]() | HS-200T-B | HS-200T-B HSE AC-DC | HS-200T-B.pdf |