창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80P04P4L04ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80P04P4L-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 176nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000840196 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80P04P4L04ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80P04P4, IPB80P04P4L04ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F52011ADT | 52MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52011ADT.pdf | |
![]() | MPE 223/630 P10 | MPE 223/630 P10 HBCKAY SMD or Through Hole | MPE 223/630 P10.pdf | |
![]() | PS5079736 | PS5079736 ORIGINAL SMD or Through Hole | PS5079736.pdf | |
![]() | R1EX24256BSAS0I | R1EX24256BSAS0I RENESAS SOP8 | R1EX24256BSAS0I.pdf | |
![]() | 2SA1314-C TE12L | 2SA1314-C TE12L TOSHIBA SOT89 | 2SA1314-C TE12L.pdf | |
![]() | CP7215BAT | CP7215BAT CY SMD or Through Hole | CP7215BAT.pdf | |
![]() | PB-11E01 | PB-11E01 DSL SMD or Through Hole | PB-11E01.pdf | |
![]() | CDT49-16 | CDT49-16 ORIGINAL SMD or Through Hole | CDT49-16.pdf | |
![]() | LP3876ES-2.5/NOPB | LP3876ES-2.5/NOPB NONE SOP | LP3876ES-2.5/NOPB.pdf | |
![]() | MG30H1BL1 | MG30H1BL1 TOS SMD or Through Hole | MG30H1BL1.pdf | |
![]() | SHERYLO.SOCORRO | SHERYLO.SOCORRO ORIGINAL BGA376 | SHERYLO.SOCORRO.pdf | |
![]() | ISL9V3040S3S_NL | ISL9V3040S3S_NL Fairchild SMD or Through Hole | ISL9V3040S3S_NL.pdf |