Infineon Technologies IPB80N06S407ATMA2
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S407ATMA2
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S407ATMA2 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 723.15000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB80N06S407ATMA2 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB80N06S407ATMA2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB80N06S407ATMA2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB80N06S407ATMA2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S407ATMA2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S407ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S4-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | * | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 40µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001028672 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S407ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S4, IPB80N06S407ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB80N06S407ATMA2 의 관련 제품
-55.jpg) | C1608C0G1H102J/10 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H102J/10.pdf | |
 | GQM1555C2DR10WB01D | 0.10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2DR10WB01D.pdf | |
-2.jpg) | 1808SC102MATBE | 1000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808SC102MATBE.pdf | |
 | S0603-56NJ3C | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-56NJ3C.pdf | |
 | BGA2817,115 | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 2.2GHz 6-TSSOP | BGA2817,115.pdf | |
| LT3650EDD-8.2PBF | LT3650EDD-8.2PBF LTC SMD or Through Hole | LT3650EDD-8.2PBF.pdf | |
| P2000SDMC | P2000SDMC TECCOR DO214AA | P2000SDMC.pdf | |
| 100GF3BA(NEW) | 100GF3BA(NEW) NEC QFP-100 | 100GF3BA(NEW).pdf | |
| HS-60W | HS-60W ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-60W.pdf | |
| TDA9708BT | TDA9708BT PHI SMD-28 | TDA9708BT.pdf | |
| AM29F032B-120E | AM29F032B-120E AMD/SPANSION TSOP40 | AM29F032B-120E.pdf | |
| TARQ225M010RNJ | TARQ225M010RNJ AVX Q | TARQ225M010RNJ.pdf |