창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2LH5ATMA4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2L-H5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001058126 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S2LH5ATMA4 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S2LH5ATMA4 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 142.7010.6102 | FUSE AUTOMOTIVE | 142.7010.6102.pdf | |
![]() | ERJ-PA3D8061V | RES SMD 8.06K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D8061V.pdf | |
![]() | M8340106M1001GC | M8340106M1001GC DALE ZIP10 | M8340106M1001GC.pdf | |
![]() | IDT71V124HSA12PH | IDT71V124HSA12PH IDT TSSOP-32L | IDT71V124HSA12PH.pdf | |
![]() | 2315227 | 2315227 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 2315227.pdf | |
![]() | RM15WTRZ-8S(71) | RM15WTRZ-8S(71) HRS SMD or Through Hole | RM15WTRZ-8S(71).pdf | |
![]() | BT136_600D | BT136_600D PHILIPS TO 220 | BT136_600D.pdf | |
![]() | PS-4GRL060219147 | PS-4GRL060219147 ORIGINAL SMD or Through Hole | PS-4GRL060219147.pdf | |
![]() | 1/6w 820R | 1/6w 820R TY SMD or Through Hole | 1/6w 820R.pdf | |
![]() | FQPF44N08 FQPF44N08C | FQPF44N08 FQPF44N08C ORIGINAL TO-220F | FQPF44N08 FQPF44N08C.pdf | |
![]() | 24070 | 24070 PROXXON SMD or Through Hole | 24070.pdf |