창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L09ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2L-09 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 125µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001061720 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L09ATMA2 | |
관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S2L09ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AC-73-33S-32.000000D | OSC XO 3.3V 32MHZ ST | SIT8008AC-73-33S-32.000000D.pdf | |
![]() | SBAV99LT3G | DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23-3 | SBAV99LT3G.pdf | |
![]() | ERJ-S06J752V | RES SMD 7.5K OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-S06J752V.pdf | |
![]() | RNF14FTD10K0 | RES 10K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD10K0.pdf | |
![]() | D17215GT 518 | D17215GT 518 NEC SOP28W | D17215GT 518.pdf | |
![]() | UGB30SHD0256E6 | UGB30SHD0256E6 UNIGEN ORIGINAL | UGB30SHD0256E6.pdf | |
![]() | LGDCMC1121 | LGDCMC1121 ORIGINAL BGA | LGDCMC1121.pdf | |
![]() | 2SK2540V | 2SK2540V Rohm T0-126 | 2SK2540V.pdf | |
![]() | KLK003 | KLK003 LITTELFUSE SMD or Through Hole | KLK003.pdf |