Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S2L09ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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IPB80N06S2L09ATMA1 가격 및 조달
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IPB80N06S2L09ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L09ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2L-09 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 52A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 125µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S2L-09 IPB80N06S2L-09-ND SP000218743 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L09ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S2L09ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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