창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S208ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-08 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 215W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2-08 IPB80N06S2-08-ND SP000218830 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S208ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S208ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CC45SL3AD221JYNN | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | CC45SL3AD221JYNN.pdf | ||
TC-18.432MBD-T | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TC-18.432MBD-T.pdf | ||
1SS388(F) | 1SS388(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS388(F).pdf | ||
LTC6240HVCS5#TRPBF | LTC6240HVCS5#TRPBF LT SOT23-5 | LTC6240HVCS5#TRPBF.pdf | ||
BD9101FVM-TR | BD9101FVM-TR ROHM SSOP-8 | BD9101FVM-TR.pdf | ||
CDRH103RNP-2R2N | CDRH103RNP-2R2N SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH103RNP-2R2N.pdf | ||
UDN2981SLW | UDN2981SLW ALLEGRO SOP18 | UDN2981SLW.pdf | ||
BA8770F | BA8770F ROHM SOP8 | BA8770F.pdf | ||
KIA556F | KIA556F SAMSUNG SOP | KIA556F.pdf | ||
39VF512-90-4C | 39VF512-90-4C SST PLCC | 39VF512-90-4C.pdf | ||
PC723V0YSZX | PC723V0YSZX SHARP DIP-6 | PC723V0YSZX.pdf |