창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S208ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-08 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 215W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2-08 IPB80N06S2-08-ND SP000218830 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S208ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S208ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C2012JB1H684K125AB | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1H684K125AB.pdf | |
![]() | 416F3601XALR | 36MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3601XALR.pdf | |
![]() | M38227M8H-257HP | M38227M8H-257HP ORIGINAL QFP | M38227M8H-257HP.pdf | |
![]() | PNX3000HL | PNX3000HL ORIGINAL QFP | PNX3000HL .pdf | |
![]() | ST6C-ELAWE2 | ST6C-ELAWE2 ORIGINAL IC | ST6C-ELAWE2.pdf | |
![]() | IMSA-9735B-26Z900 | IMSA-9735B-26Z900 IRISO SMD | IMSA-9735B-26Z900.pdf | |
![]() | 150uf6.3VC | 150uf6.3VC avetron SMD or Through Hole | 150uf6.3VC.pdf | |
![]() | 8X831ARAB | 8X831ARAB X BGA | 8X831ARAB.pdf | |
![]() | LS1H155M04007 | LS1H155M04007 SAMWH DIP | LS1H155M04007.pdf | |
![]() | 1SV203-9 TRC | 1SV203-9 TRC HITACHI SMD or Through Hole | 1SV203-9 TRC.pdf | |
![]() | SKBH28-06 | SKBH28-06 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKBH28-06.pdf |