창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S205ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2-05 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 1/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S2-05 IPB80N06S2-05-ND SP000218877 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S205ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S205ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | IC42S32200B-6T | IC42S32200B-6T ISSI TSOP | IC42S32200B-6T.pdf | |
![]() | ARDENT-C9C1-790UK- | ARDENT-C9C1-790UK- AGERE SMD or Through Hole | ARDENT-C9C1-790UK-.pdf | |
![]() | MCC72-12IOIB | MCC72-12IOIB IXYS SMD or Through Hole | MCC72-12IOIB.pdf | |
![]() | JM38510/13501SGAOP07 | JM38510/13501SGAOP07 PMI CAN | JM38510/13501SGAOP07.pdf | |
![]() | KM684000BPL-7L | KM684000BPL-7L HIT SMD or Through Hole | KM684000BPL-7L.pdf | |
![]() | IDT72256L12TF | IDT72256L12TF IDT QFP | IDT72256L12TF.pdf | |
![]() | IDT72V801-L15PFI | IDT72V801-L15PFI IDT TQFP | IDT72V801-L15PFI.pdf | |
![]() | IH5015CPE | IH5015CPE INTERSIL DIP | IH5015CPE.pdf | |
![]() | FL4000065 | FL4000065 ORIGINAL SMD or Through Hole | FL4000065.pdf | |
![]() | PC4N300YSZXF | PC4N300YSZXF SHARP NA | PC4N300YSZXF.pdf | |
![]() | MCD-855C-182 | MCD-855C-182 Maglayers DIP | MCD-855C-182.pdf |