Infineon Technologies IPB80N04S306ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N04S306ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB80N04S306ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 722.96500
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB80N04S306ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB80N04S306ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB80N04S306ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB80N04S306ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N04S306ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N04S306ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N04S3-06 | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 52µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N04S3-06 IPB80N04S3-06-ND IPB80N04S3-06TR IPB80N04S3-06TR-ND IPB80N04S306 SP000254822 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N04S306ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N04S3, IPB80N04S306ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB80N04S306ATMA1 의 관련 제품
 | MKP383412040JFI2B0 | 0.12µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP383412040JFI2B0.pdf | |
| GW CSSRM1.BM-LUMQ-XX57-1 | LED Lighting OSLON® Square White, Warm 3000K 2.8V 700mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | GW CSSRM1.BM-LUMQ-XX57-1.pdf | |
| HM79-102R7LFTR13 | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 1.58A 78 mOhm Max Nonstandard | HM79-102R7LFTR13.pdf | |
| CMF6530K100FKEK70 | RES 30.1K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6530K100FKEK70.pdf | |
| RD2.0M-T2B | RD2.0M-T2B NEC SMD or Through Hole | RD2.0M-T2B.pdf | |
| 2010W2J0332T4E | 2010W2J0332T4E ROYALOHM SMD or Through Hole | 2010W2J0332T4E.pdf | |
| CD100UF/10V | CD100UF/10V CH SMD or Through Hole | CD100UF/10V.pdf | |
| 2010T(16K)/2K2 | 2010T(16K)/2K2 ORIGINAL SMD | 2010T(16K)/2K2.pdf | |
| B82422A1473K100V1 | B82422A1473K100V1 EPCOS SMD or Through Hole | B82422A1473K100V1.pdf | |
| MTV030GN-47 | MTV030GN-47 MYSON SMD or Through Hole | MTV030GN-47.pdf | |
| LDC20B140J0902D-003 | LDC20B140J0902D-003 ORIGINAL SMD or Through Hole | LDC20B140J0902D-003.pdf | |
| BB101CAUTL | BB101CAUTL RENESAS CMPAK-4 | BB101CAUTL.pdf |